گروه علوم مهندسی، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار، ایران
چکیده
خواص اپتیکی لایه‌های نازک اکسی نیترید سیلیکون (SiON) مورد بررسی قرار گرفته است. لایه‌های SiON به روش رسوب‌گذاری شیمیایی بخار پلاسمایی روی زیرلایه‌های شیشه و سیلیسوم رشد داده شدند. برای تولید پلاسما از منبع تغذیه فرکانس رادیویی با کوپل خازنی استفاده شده است. همچنین از ماده آلی سیلیکاتی تترااتیل اورتوسیلیکات (TEOS)، اکسیژن و نیتروژن به ترتیب برای منبع سیلیسیوم، گاز اکسیدکننده و منبع نیتروژن استفاده شده است. مکانیزم رشد و تغییرات ضریب شکست و همچنین تغییرات جذب اپتیکی لایه‌ها مورد مطالعه قرار گرفته است. از نتایج می‌توان فهمید که گونه‌های فعال نیروژن اتمی و یونی تولید شده در حجم پلاسما مشابه ذرات اکسیژنی در مکانیزم اکسیداسیون عمل کرده و باعث تجزیه مولکول‌های TEOS می‌شوند. از این رو افزایش شار نیتروژن در ترکیب گازی پلاسما موجب کاهش ناخالصی‌های آلی ناشی از مونومرهای TEOS می‌گردند. زبری لایه ها کمتر از nm 0.2 اندازه گیری شدند. همچنین، نتایج بررسی نشان داد که با افزودن گاز نیتروژن در ترکیب گازی پلاسما می‌توان بدون تغییر قابل توجهی در شفافیت لایه‌های اکسید سیلیسیوم ضریب شکست آن‌ها را افزایش داد. در نهایت با افزایش شار نیتروژن از 0 تا sccm 80 ضریب شکست لایه ها از 1.446 تا 1.464 افزایش یافت در حالی که میزان جذب اپتیکی لایه ها در همه موارد کمتر از 1 اندازه گیری شد.
عباسی فیروزجاه, مرضیه. (1402). بررسی خواص اپتیکی لایه نازک SiON تولید شده به روش رسوب‌گذاری شیمیایی بخار پلاسمایی. نشریه علوم و مهندسی سطح, 19(56), 1-10.
MLA
مرضیه عباسی فیروزجاه. "بررسی خواص اپتیکی لایه نازک SiON تولید شده به روش رسوب‌گذاری شیمیایی بخار پلاسمایی". نشریه علوم و مهندسی سطح, 19, 56, 1402, 1-10.
HARVARD
عباسی فیروزجاه, مرضیه. (1402). 'بررسی خواص اپتیکی لایه نازک SiON تولید شده به روش رسوب‌گذاری شیمیایی بخار پلاسمایی', نشریه علوم و مهندسی سطح, 19(56), pp. 1-10.
VANCOUVER
عباسی فیروزجاه, مرضیه. بررسی خواص اپتیکی لایه نازک SiON تولید شده به روش رسوب‌گذاری شیمیایی بخار پلاسمایی. نشریه علوم و مهندسی سطح, 1402; 19(56): 1-10.
)