مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم

نوع مقاله: مقاله پژوهشی

چکیده

مواد CuInTe2 و CuInSe2 از نوع مثبت (P ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال RH و تحرک هال ، در دماها و میدانهای مختلف، دریچه ای در P-CuInTe2 مشاهده شده است. با افزایش دما به بیش ازk  170 و تغییر  RH، فاصله بین سطح دانه ها بیشتر می شود. با افزودن درصدی اندیم به این لایه ها، ضریب هال در گستره های دمایی k 200-77 ثابت می ماند . در این مقاله نشان خواهیم داد که در ماده CuInSe2 -P که به صورت لایه هایی با ترکیب عنصری است، با افزودن اندیم به دمای بیش از k 150، فاصله میان سطح دانه ها بیشتر می شود. در این مقاله، مقادیر  در لایه های یاد شده مورد مطالعه قرار گرفته است.

کلیدواژه‌ها