انجمن علوم و تکنولوژی سطح ایران نشریه علوم و مهندسی سطح 2008-6717 9 18 2013 08 23 مقایسه ساختار و مورفولوژی لایه‌های نازک Cu بر زیر لایه GaAsدر روش‌های الکتروانباشت و الکترولس 13 21 5295 FA Journal Article 2014 04 19 در این تحقیق لایه‌های نازک مس بر زیرلایه‌ی نیم‌رسانای گالیوم‌آرسناید نوع n به دو روش الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. لایه‌های الکتروانباشت شده با مد جریان ثابت از mA 5 تاmA30 و لایه‌های الکترولس شده در دماهای مختلف ^{<span style="font-family: Arial;">o</span>}C 25،^{<span style="font-family: Arial;"> o</span>}C77 تهیه شدند. ساختار و ریخت شناسی لایه‌ها به کمک دستگاه‌های XRD و SEM مورد بررسی قرار گرفت. سپس پارامتر زبری لایه‌های الکتروانباشت شده در جریان‌های مختلف انباشت و هم‌چنین زبری لایه‌های الکترولس شده در دماهای مختلف به کمک میکرسکوپ نیروی اتمی AFM  مطالعه و با یکدیگر مقایسه می‌شوند. http://www.surfacejournal.ir/article_5295_f885a14eaf260d7d9f93c750e1174228.pdf