تأثیر فشار اکسیژن بر ساختار و هدایت الکتریکی لایههای نازکBa0.5Sr0.5Co0.8Fe0.2O3-δ در لایهنشانی لیزر پالسی
text
article
2013
per
در این مقاله، پودرBa0.5 Sr0.5 Co0. 8 Fe0.2 O3-δ (BSCF) با هدف استفاده به عنوان کاتد پیل سوختی اکسید جامد به روش سل- ژل ساخته شد. همچنین، لایههای نازک BSCF روی زیر لایه(STO) SrTiO3، به روش لایه نشانی لیزر پالسی (PLD) در فشارهای مختلف اکسیژن لایه نشانی شد. ساختار بلوری این نمونهها توسط پراش پرتو X (XRD) و مورفولوژی سطح لایهها توسط میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) بررسی شد. اندازهگیری مقاومت الکتریکی نمونه حجمی و لایههای نازک به روش چهار نقطهای از دمای اتاق تا دمای بیش از C̊ 600، در هوا انجام شد که نشاندهنده افت شدید مقاومت نسبت به مقدار اولیه بود
نشریه علوم و مهندسی سطح
انجمن علوم و تکنولوژی سطح ایران
2008-6717
9
v.
17
no.
2013
1
5
http://www.surfacejournal.ir/article_5305_53736461065ae37977664a017db6c4b6.pdf
ساخت و مشخصه یابی نانومیله های NiO رشدیافته توسط اسپاترینگ RF: مطالعه خواص اپتیکی وآب دوستی
text
article
2013
per
در این پژوهش، ابتدا لایه های نازک نیکل به روش RF اسپاترینگ بر روی زیرلایه لام آزمایشگاهی تشکیل گردید و سپس لایه های اسپاتر شده، در دماهای مختلف در محیط اکسیژن پخت شدند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نوع ساختار را به صورت نانومیله های به قطر 35 نانومتر نشان می دهند. با بررسی خواص اپتیکی، محدوده گاف انرژی بینeV 87/3-77/3 مشخص شده؛ همچنین زاویه تماس آب با سطح نمونه های پخت نشده، در حدودº110 وبرای نمونه های پخت شده در دماهای مختلف از حالت آب گریزی به حالت آب دوستی تغییر نمودند. تصاویر میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) نشان می دهد که در دمایC °500، میانگین مربع زبری سطح (RMS)، نمونه پخت شده حدود nm9می باشد.
نشریه علوم و مهندسی سطح
انجمن علوم و تکنولوژی سطح ایران
2008-6717
9
v.
17
no.
2013
7
13
http://www.surfacejournal.ir/article_5306_3c8a8f48c27feb7ad27b177c97986c70.pdf
بررسی خواص الکتریکی قطعات ساندویچی لایه نازک پیوند ناهمگن بروموآلومینیوم فتالوسیانین وسرب فتالوسیانین(Al/BrAlPc/PbPc/Al)
text
article
2013
per
فیلم های لایه نازک با ساختار نانو از بروموآلومینیوم فتالوسیانین و سرب فتالوسیانین که به روش تفنگ پرتوی الکترونی به ترتیب روی زیرلایه شیشه ای نشانده شدند، تهیه گردید. قطعه ساندویچی Al/BrAlPc/PbPc/Alتحت خلأ torr 5-10 در آزمایشگاه ما تهیه شد. رفتار الکتریکی قطعات با پیوند ناهمگن در بازه ی فرکانسی Hz105- 102 و در بازه ی دمای K 403 - 303 مورد بررسی قرار گرفت. تمامی اندازه گیری ها در دماهای مختلف و در محفظه ی تاریک انجام شده است. الکترودهای آلومینیوم بکار رفته نشاندهنده ی اتصال شاتکی بودند. در تحقیق حاضر، مشاهده شده است که ظرفیت و ضریب پراکندگی با افزایش فرکانس، کاهش و با افزایش دما، افزایش می یابد و نتایج حاصل از اندازه گیری ها با تئوری سایمون مطابقت دارد.
نشریه علوم و مهندسی سطح
انجمن علوم و تکنولوژی سطح ایران
2008-6717
9
v.
17
no.
2013
15
19
http://www.surfacejournal.ir/article_5307_761747817fd63679fb6e2a481a2ea308.pdf
مشخصه یابی خواص لایه نازک الکترواپتیکی ZnO:Alساخته شده به روش ترکیبی کندوپاش پلاسمایی ساده و اکسیداسیون حرارتی
text
article
2013
per
علاقه به تحقیق و پژوهش در زمینه پلاسماهای غباری که رشته جدیدی در فیزیک پلاسما میباشد با توسعه صنعت میکروالکترونیک رشد چشمگیری داشته است. ذرات غبار که تا کنون به عنوان آلودگی در نظر گرفته میشدند، امروزه در فنآوری های لایه گذاری برای صنایع میکروالکترونیک، اپتیک، الکترواپتیک استفاده میشوند. در اینجا ما روی پوشش با ذرات غبار از طریق ایجاد لایه نازک ZnO:Al کار میکنیم. ذرات غبار Zn وAl میباشند. لایه های نازک با روش ترکیبی کندوپاش ساده Zn و Al و اکسیداسیون حرارتی آنها ساخته شدند. لایههای نازک ZnO:Al با توجه به خواص فیزیکیای که دارند شفافیت بالایی در نور مرئی و مقاومت الکتریکی پایینی دارند. خواص اپتیکی و الکتریکی لایههای مذکور توسط XRD, RBS ، پروب چهار نقطهای و طیف نمایی نوری در ناحیه طول موج مرئی بررسی شدند. مقدار مقاومت در بهترین حالت برابر با
12خ©.Cm' type="#_x0000_t75"> 3-10 × 0.905 و در طول موج nm 800-300 میزان عبوردهی نور 85 درصد بدست آمد.
نشریه علوم و مهندسی سطح
انجمن علوم و تکنولوژی سطح ایران
2008-6717
9
v.
17
no.
2013
21
25
http://www.surfacejournal.ir/article_5308_7d3af7fd80cdfa544b3dbdb4d4279e9e.pdf
طراحی و شبیهسازی یک سیستم انتقال مغناطیسی پوزیترون برای مطالعات سطح مواد
text
article
2013
per
در این مقاله گزارشی از طراحی و شبیهسازی یک سیستم انتقال مغناطیسی خم برای انتقال پوزیترون به منظور انجام طیفسنجی پوزیترون به روش انتقال دوپلری، توسط نرمافزار شبیهسازCST ارائه میشود. طیفسنجی پوزیترونی به دلیل ویژگیهای خاصی که دارد در مطالعهی فیزیک سطح و نانوذرات بسیار پرکاربرد و مورد توجه است. سیتسم ارائه شده در این مقاله باریکه را روی محیط دایرهای به شعاع 5/1 متر و به طول 114 سانتیمتر منتقل میکند. قطر باریکه روی هدف 16/0 قطر آن در لحظهی استخراج میباشد. در ضمن این سیستم گسترهی انرژیی بین 200 الکترون ولت تا 20 کیلوالکترونولت را برای باریکه فراهم میسازد.
نشریه علوم و مهندسی سطح
انجمن علوم و تکنولوژی سطح ایران
2008-6717
9
v.
17
no.
2013
27
33
http://www.surfacejournal.ir/article_5309_f6d789aec7193d23a13fac6f11c332bb.pdf
بررسی تاثیر ضخامت لایه ی کاتالیست و آهنگ ورود جریان بخار اتانول به محفظه واکنش، در رشد نانولوله های کربنی موازی به روش رسوب شیمیایی بخار
text
article
2013
per
نانو لوله های کربنی موازی با روش رسوب شیمیایی بخار و با استفاده از لایه نشانی کاتالیست کبالت بر روی لایه ی محافظ اکسید آلومینیوم، سنتز گردیدند. از ترکیب مشخص گاز حامل آرگون و بخار اتانول برای رشد استفاده شد. تاثیر آهنگ ورود جریان گاز هیدروکربن (اتانول)، بر روی طول و چگالی نانولوله های کربنی مورد بررسی قرار گرفت. با فشار ثابت mmHg10 راکتور در آزمایش ما با افزایش نرخ ورود بخار اتانول به محفظه تا مقدار حدود ml/min 2، چگالی و همچنین طول نانولوله ها افزایشیافته، و سپس برای مقادیر بیشتر آهنگ ورود جریان اتانول، کاهش می یابد. همچنین قطر، طول و چگالی نانولوله های کربنی با تغییر ضخامت لایه ی کاتالیست قابل کنترل بود. میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)برای بدست آوردن اطلاعاتی از طول، چگالیو قطر نانولوله ها تحت شرایط مختلف مورد استفاده قرار گرفت و از طیف سنجی رامان جهت سنجش میزان ناخالصی نانولوله های کربنی استفاده شد.
نشریه علوم و مهندسی سطح
انجمن علوم و تکنولوژی سطح ایران
2008-6717
9
v.
17
no.
2013
35
40
http://www.surfacejournal.ir/article_5310_0a64ece565b79b4a7a9ef97fe1db09df.pdf
تاثیر خلأ بر افزایش بازدهی پراش توری هولوگرافیک ایجاد شده در سطح لایه نازک هالید نقره
text
article
2013
per
در این مقاله از لایه نازک حساس به نور هالید نقره برای ساخت توری پراش هولوگرافیک بازتابی استفاده شده است. ساخت قطعات اپتیکی هولوگرافیک بازتابی بر روی لایه نازک حساس به نور هالید نقره به خاطر نوارهای تداخلی فوق العاده ریز موجود در آن، مشکل است. مزیت اصلی این روش پردازش این است که ضبط با حساسیت بالا به کمک باریکه لیزر در ناحیه طیف مریی انجام میشود. بههمین دلیل در این مقاله یک روش پردازش بهینه برای ساخت قطعات اپتیکی هولوگرافیک بازتابی در محیط هالید نقره جدید معرفی شده و نهایتا با خشک کردن در کوره خلاء، بازدهی پراش بالاتر از 50 % برای توری های پراش بازتابی 5120 خط در میلیمتر به دست آمده است.
نشریه علوم و مهندسی سطح
انجمن علوم و تکنولوژی سطح ایران
2008-6717
9
v.
17
no.
2013
47
52
http://www.surfacejournal.ir/article_5312_4f4da6e1c5f4fe2dcb3b9351080dc199.pdf
تعیین پارامترهای مناسب فرآیند کندوپاش فلز مولیبدنیوم و بررسی اثر لایهای نازک از آن، برروی گسیل الکترونها از آرایهی گسیل میدان متشکل از نانونوک-های سیلیکانی
text
article
2013
per
بررسی برروی پارامترهای فشار عملیاتی و توان فرایند کندوپاش فلز مولیبدنیوم برروی مقاومت لایهی نازک ایجاد شده برروی زیرلایهی شیشه انجام گرفته و مقدار مناسب پارامترهای لایه نشانی تعیین شده اند. آرایهی نانونوکهای سیلیکانی از پیش ساخته شده طی فرایندی چند مرحلهای، در محیط خلا قرار داده شده است و به منظور کاهش تابع کار گسیل کنندهها، لایهای از فلز مولیبدنیوم به روش کند و پاش و بر اساس پارامترهای تعیین شده در مرحلهی قبل بر روی نوکها نشانده شده است. مشخصات هندسی گسیل کنندهها به کمک تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) قبل و بعد از لایه نشانی مولیبدنیوم ارائه شده است. نشان داده شده است که استفاده از پوشش مولیبدنیومی امکان مشاهدهی پدیدهی گسیل میدان را در ولتاژهای کمتر از 1000 ولت و در فواصل بین آند و کاتد بالای 1 میکرومتر فراهم می آورد. منحنی جریان-ولتاژ گسیل الکترونها در فشار کمتر از Torr7-10×3 اندازهگیری و رسم شده است.
نشریه علوم و مهندسی سطح
انجمن علوم و تکنولوژی سطح ایران
2008-6717
9
v.
17
no.
2013
53
58
http://www.surfacejournal.ir/article_5313_e6ef645a4f6bcbbffaf94ac961e72193.pdf
اثر مدت زمان اکسیداسیون حرارتی لایههای نازک Zn فلزی بر روی مورفولوژی و خصوصیات ساختاری نانوسیمهای اکسید روی
text
article
2013
per
در این پژوهش نانوسیمهای اکسید روی با خواص ساختاری بالا از طریق اکسیداسیون حرارتی لایههای نازک Zn فلزی رشد داده شدند. فیلمهای Zn با ضخامت 250 نانومتر با استفاده از تکنیک تبخیر در خلاء بر روی زیرلایه شیشه لایه نشانی گردیدند. جهت رشد نانوسیمهای اکسید روی، فیلمهای Zn لایهنشانی شده به مدت 30 دقیقه، 1ساعت و 3 ساعت در دمای ˚C600 در محیط هوا با استفاده از یک کوره افقی اکسید شدند. مورفولوژی سطح نمونهها با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص گردید و نتایج نشان داد که با افزایش مدت زمان فرآیند اکسیداسیون، میزان شکل گیری و طول نانوسیمهای اکسید روی افزایش مییابد. در طیف EDX نمونهها به جزء اکسیژن و روی عنصر دیگری یافت نشد که نشان دهنده خلوص بالای نانوسیمهای اکسید روی رشد یافته است. نتایج حاصل از آنالیز XRD همچنین نشان داد نانوسیمهای اکسید روی دارای ساختار ورتسایت با پیک ترجیحی قوی (002) میباشد.
نشریه علوم و مهندسی سطح
انجمن علوم و تکنولوژی سطح ایران
2008-6717
9
v.
17
no.
2013
59
63
http://www.surfacejournal.ir/article_5314_185fc18774a2f95fb980bb4eb2caae0d.pdf